Ultrasonic úðatækni fyrir sólarfrumuhúðun

Ultrasonic úðatækni er notuð við ljósritunarkristallað kísil (C-Si) og þunnt kvikmyndaforrit. Í samanburði við efnafræðilega gufuútfellingu (CVD), sputtering, snúningshúð, rúlluhúð og þoka húðunartækni, getur ultrasonic úðatækni verið hagkvæmari aðferð til að setja þunnt filmuhúðun á sólarfrumur. Vegna mikillar einsleitni atomiseraðra dropa og lághraða þeirra meðan á húðunarferlinu stendur er hægt að mynda mjög einsleit míkrómetra þykk lög á C-Si og þunnfilmu sólarfrumum. Viðbótarávinningurinn af því að draga úr úrgangi eða offramboð getur einnig sparað efni verulega.

Ultrasonic úðatækni er notuð við eftirfarandi efni:

Lyfjamisnotendur, frásogar, stuðpúðarefni, lífræn efnasambönd osfrv.

Bórsýru dópefni
Kadmíumklóríð (CDTE) frásogandi
Kadmíumsúlfíð (CDS) - Buffer Layer fyrir cigs og CDTE rafhlöður
Kopar indíum gallíum seleníð (cigs eða cis) frásogandi
Kopar sink súlfíð (CZT) frásog
Litarefni næmar lífrænar sólarfrumur (DSC, DSSC eða DYSC)
P3HT
Pedot
PCBM
Fosfat byggð dópants í emitter myndun

Quantum Dots (QD)

Ultrasonic úða hefur verið notuð með góðum árangri til að úða ýmsum skammtapunktum. Zno þunnar kvikmyndir og CDS skammtapunktar hafa verið framleiddir með ultrasonic úða pyrolysis útfellingartækni og kostnaðurinn er aðeins lítill hluti af CVD og sputtering aðferðum.

Gegnsætt leiðandi oxíð (TCO)

Tin díoxíð (Sno2)
Indium tinoxíð (ITO)
Sinkoxíð (ZnO) sem nanowires í DSC forritum
Kolefnis nanotubes (CNT)
Silfur nanowires (Agnw)
Grafen

Andstæðingur endurskins (AR) lag

Kísildíoxíð
Títanía